多型體是工業(yè)上應(yīng)用為廣泛的。在6H,SiC中，Si與C交替成層狀堆積,Si層問或C層間的距離為2.5，Si-C的原子間距約為1.90?。    SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩(wěn)定性關(guān)系, α、β晶型也相互轉(zhuǎn)化,溫度在1600攝氏度以下時(shí)SiC以 β-SiC形式存在。當(dāng)溫度高于1600℃時(shí)β-SiC通過再結(jié)晶的方式緩慢轉(zhuǎn)變成 α-SiC的多種變形體(4H、15R、6H等) 。對于α--β轉(zhuǎn)化來說需要較高的壓力，而對β-α轉(zhuǎn)化來說，僅需較低的壓力。碳化硅各類型體問的轉(zhuǎn)化不產(chǎn)生體積效應(yīng)。一般認(rèn)為S iC中微量雜質(zhì)的固溶， 既影響了α、β晶型間的轉(zhuǎn)化，也影響了多型體之間熱穩(wěn)定性關(guān)系的轉(zhuǎn)化，例如SiC中生成固溶體的硼和氮可以促進(jìn)轉(zhuǎn)化， 而雜質(zhì)Fe的存在又促進(jìn)了β一α的轉(zhuǎn)化， Al的固溶加速SiC的-4H轉(zhuǎn)化，并且使4H多型體穩(wěn)定化，SiC是共價(jià)鍵性很強(qiáng)的化合物。  SiC在高溫下仍保持高的鍵合強(qiáng)度，因此SiC硬度高，彈性模量大，具有優(yōu)良的耐磨損性能，SiC 不會(huì)被大多數(shù)酸堿溶液所侵蝕。如(HC1，HNO3 ，H2SO4，NaOH，HF )，在空氣中加熱會(huì)發(fā)生氧化反應(yīng)，但常表現(xiàn)出鈍氧化的特性。氧化時(shí)，SiC表面形成SiO2 薄膜抑制氧的進(jìn)一步氧化。另外SiC也具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性，純SiC是絕緣體，摻雜SiC具有負(fù)溫度系數(shù)，可以作為具有非線性電阻特征的高溫發(fā)熱元件[4、5]。   SiC在自然中不存在，是一種人工合成的物質(zhì)，1891年艾奇遜研究出來了工業(yè)冶煉碳化硅的方法，也就是大家常說的艾奇遜爐，一直沿用至今，以碳質(zhì)材料為爐芯體的電阻爐，

通電加熱石英SIO2和碳的混合物生成碳化硅。加熱到2500℃左右。高溫使其發(fā)生反應(yīng)：  SiO2 +3C（s）=α-SiC (S)+2CO(g)   ( 1 )  用電爐生產(chǎn)以來,先利用其硬度用作人造磨料。其后在1893年用作高溫材料。在工業(yè)生產(chǎn)中，用于合成SiC的石英砂和焦炭通常含有Al、Fe等金屬雜質(zhì)。因此得到的SiC一般都含有少量的雜質(zhì)。其中，雜質(zhì)含量少的呈色， 稱為綠色SiC。雜質(zhì)含量多的呈黑色，被稱為黑色SiC。1925年卡普倫登公司宣布研制成功綠色SiC。[3,6]  1931先在氧氣介質(zhì)中用四氯化硅和甲苯反應(yīng)合成SiC。SiCl4和SiH4   等含硅的氣體以及，CH4，C3H8 ，CCl4 等含碳?xì)怏w或 (CH3)2Si(CH3)4 C13 等同時(shí)含硅
和碳的氣體在高溫下發(fā)生反應(yīng)生成納米級的β-SiC超細(xì)粉。  我國的 SiC于1949年6月由趙廣和研制成功。1951年6月前列臺(tái)制造SiC的工業(yè)爐在前列砂輪廠建成，從此結(jié)束了中國不能生產(chǎn)SiC的歷史。  1955年，Lely通過加熱盛滿SiC顆粒的反應(yīng)器達(dá)2500℃，并向反應(yīng)器里不斷通入氬氣，發(fā)現(xiàn)SiC在氣相中成核，并長成晶體。這種生長SiC單晶的方法被稱Lely法。這是理論和技術(shù)上重大突破。接著又發(fā)展TPVT技術(shù)[581、化學(xué)氣相沉積法【59】、液相外延法[601等SiC單晶生長的技術(shù)。隨著碳化硅單晶技術(shù)發(fā)展相應(yīng)的碳化硅耐火材料也在穩(wěn)步的發(fā)展著]五五年以前的SiC耐火材料只是以粘土、SiO2等為結(jié)合相。  粘土為結(jié)合相  這種碳化硅耐火材料是以可塑性粘土作為結(jié)合制造的，這種制品由于粘土多，故在較低溫度下也能夠燒結(jié)，但耐火度低、高溫軟化、抗氧化性都不能使 !"# 材料的本來特性充分發(fā)揮作用。目前，我國陶瓷行業(yè)中，粘土結(jié)合碳化硅質(zhì)窯具用量占很大比例，國內(nèi)有多家生產(chǎn)這種窯具的企業(yè)。  SiO2為結(jié)合相  SiO2結(jié)合制品是在碳化硅中加入一定量的Si02(Si02微粉和石英粉)，加入比例大約是：SiO2 10％ ，SiC 90％[ 10 ]。在沒有其他礦物添加劑時(shí)，借助燒成過程中，SiC顆粒接觸表面氧化生成SiO2 薄膜將SiC顆粒結(jié)合起來，因其原料純度較高，低熔物雜質(zhì)含量少，因此它的一些高溫性能比粘土結(jié)合制品要優(yōu)良的多，但這種制品的高溫性能也受成形壓力等工藝影響。可在1200℃以上氧分壓高的氣氛下使用，一般作用棚板、支柱等。  到了1955年，美國Casrborundum公司在生產(chǎn)硅酸鹽結(jié)合SiC材料的基礎(chǔ)上研制成功了NSiC高級耐火材料，并獲得了專利權(quán)[7、8]。  Si3N4本身的高溫性能優(yōu)良，所以可以用作 SiC制品的結(jié)合劑，NSiC是近20年發(fā)展起來的一種高科技SiC耐火材料。Si3N4和SiC均為共價(jià)鍵性極強(qiáng)的化合物，有相似的物理化學(xué)性能，在高溫 狀態(tài)下仍保持高的鍵合強(qiáng)度。NSiC是在SiC顆粒的混合物中，加入細(xì)粉碎的硅粉(大約l5-25％)，在氮化爐中通人高純 以一定的溫度和壓力制度氮化反應(yīng)燒結(jié)，Si與N2生成α-Si3N4β-Si3N4，把堅(jiān)硬的SiC結(jié)合起來，形成致密的網(wǎng)絡(luò)結(jié) 構(gòu)( Si3N430％+70％SiC)。鄭州榮盛作為專業(yè)的耐火材料生產(chǎn)廠家，我們擁有豐富的窯爐建設(shè)和改造經(jīng)驗(yàn)，如果您有相關(guān)的疑問和需求都可來電我們榮盛市場部進(jìn)行咨詢，我們會(huì)本著誠摯的服務(wù)態(tài)度向您提供專業(yè)的管道解決方案。