關于電熔鋯剛玉磚使用時產(chǎn)生氣泡的研究，幾乎有一致結論：電熔鋯剛玉磚內產(chǎn)生氣體是玻璃相滲析的推動力，而玻璃相滲出又在界面產(chǎn)生氣泡。
產(chǎn)生氣泡的原因一般認為有兩個，一是在電熔鋯剛玉磚中含有碳、碳化物、硫和硫化物等雜質，在使用過程中由于氧擴散到電熔鋯剛玉磚中與這些雜質反應，放出CO2，SO2，N2等，并證實在有氧的條件下這種過程才能產(chǎn)生。給出的雜質反應溫度是：硫化物與氧反應溫度為200℃碳化物與氧反應的溫度從400℃開始，氮化物反應溫度,800℃以上。產(chǎn)生氣泡的另一個原因是由于溶池中玻璃液與電熔鋯剛玉磚間的電池反應。

電池電動勢是由玻璃液與電熔鋯剛玉磚之間堿含量不同而引起的，含堿量比較高的Na+向電熔鋯剛玉磚擴散,與電熔鋯剛玉磚中Na+趨于平衡，使玻璃液與電熔鋯剛玉磚界面處形成氧過量的不平衡狀態(tài),不平衡狀態(tài)下的氧形成氣泡，一旦達到平衡則氣泡產(chǎn)生即停止。
上述研究結果說明，雜質與氧反應產(chǎn)生氣泡是玻璃相滲析的推動力。那么減少組成中雜質含量將是解決問題的根本方法。值得注意的是原料中不可能沒有一點雜質，尤其對33#電熔鋯剛玉磚而言，那么對這種情況就應注重研究如何減緩乃至避免這類氣泡產(chǎn)生，實測玻璃相滲析溫度低為1030℃，高為1470℃，而雜質氧化反應溫度低為200℃，高也只有800℃，可見氧化反應在前，玻璃相滲析在后。因而氧向電熔鋯剛玉磚中的擴散就成為這類氣泡產(chǎn)生的決定因素。
氧向電熔鋯剛玉磚中擴散通道可以是電熔鋯剛玉磚的裂紋、氣孔(尤其是連通氣孔，也可以是電熔鋯剛玉磚中的玻璃相，顯見前者的擴散速度遠遠大于后者。由于電池反應在電熔鋯剛玉磚中和玻璃液界面產(chǎn)生的氣泡，不可能是玻璃相滲析的推動力，它是玻璃液對電熔鋯剛玉磚侵蝕的結果。氣泡量的多少和產(chǎn)生速度，取決于Na+的不平衡程度和Na+的擴散速度。Na+的濃度差會逐漸減小，所以這類氣泡產(chǎn)生的關鍵是Na+的擴散速度，而Na+的擴散速度又取決于擴散通道和阻力大小。
由上述分析可知，兩種氣泡產(chǎn)生的實質是氧和的Na+擴散，一切提高氧、擴散阻力的措施都是有效的。措施之一是提高電熔鋯剛玉磚表層的致密性，以增大氧的擴散阻力，之所以有優(yōu)良性能其表層的特殊結構也是重要原因；措施之二是研究和改進玻璃相在電熔鋯剛玉磚中的分布與晶相間的賦存狀態(tài)，使玻璃相在表層分布盡量少，且能均勻分布于晶間而不連通，這種分布無論對氧或的擴散都將增大阻力；三是提高玻璃相粘度因為擴散速度是粘度的函數(shù)這將增大Na+的擴散阻力。
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